近日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新公布的全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告（World Fab Forecast）顯示，隨著芯片需求不斷上升，將帶動(dòng)全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2024年全球晶圓廠總產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)6%，2025年將同比增長(zhǎng)7%，屆時(shí)將達(dá)到每月3370萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量的歷史新高。

從工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)看，預(yù)計(jì) 5nm 及以下尖端制程工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能將會(huì)在 2024 年同比增長(zhǎng) 13%，這主要是由于數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練、推理和前沿設(shè)備的生成人工智能 (AI) 推動(dòng)。為了提高處理能力效率，包括英特爾、三星和臺(tái)積電在內(nèi)的芯片制造商準(zhǔn)備開始生產(chǎn) 2nm 全柵極 (GAA) 芯片，預(yù)計(jì)到 2025 年，5nm 及以下尖端制程工藝節(jié)點(diǎn)的的產(chǎn)能同比增長(zhǎng)率將達(dá)到 17%。

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：“從云計(jì)算到邊緣設(shè)備，人工智能處理的普及正在推動(dòng)高性能芯片的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)，并推動(dòng)全球半導(dǎo)體制造能力的強(qiáng)勁擴(kuò)張。這形成了一個(gè)良性循環(huán)：人工智能將推動(dòng)各種應(yīng)用中半導(dǎo)體內(nèi)容的增長(zhǎng)，進(jìn)而鼓勵(lì)進(jìn)一步的投資。”

從各地區(qū)產(chǎn)能擴(kuò)張情況來(lái)看，預(yù)計(jì)中國(guó)芯片制造商將繼續(xù)保持同比兩位數(shù)百分比的產(chǎn)能增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2024 年的產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)15%，達(dá)到每月885萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量；2025 年將同比增長(zhǎng) 14%，達(dá)到每月1010 萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量，占行業(yè)總量的近三分之一。盡管未來(lái)中國(guó)大陸存在產(chǎn)能過(guò)剩的潛在風(fēng)險(xiǎn)，但該地區(qū)仍在積極投資產(chǎn)能擴(kuò)張，部分原因是為了減輕美國(guó)出口管制的影響。華虹集團(tuán)、晶圓代工、芯恩集成和中芯國(guó)際以及 DRAM 制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等主要晶圓制造商正在大力投資，以提高該地區(qū)的半導(dǎo)體制造產(chǎn)能。

預(yù)計(jì)到 2025 年，其他大多數(shù)主要芯片制造地區(qū)的產(chǎn)能增長(zhǎng)率將不超過(guò) 5%。預(yù)計(jì) 2025 年中國(guó)臺(tái)灣的晶圓制造產(chǎn)能將以每月580萬(wàn)片8英寸晶圓的約當(dāng)量排名第二；韓國(guó)預(yù)計(jì)將在2025年位居第三，產(chǎn)能將由 2024年的首次超過(guò)每月500萬(wàn)片約當(dāng)8英寸晶圓之后，2025年將同比增長(zhǎng)7%至每月540萬(wàn)8英寸晶圓約當(dāng)量。預(yù)計(jì)日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導(dǎo)體制造產(chǎn)能將分別增長(zhǎng)至每月470萬(wàn)片約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長(zhǎng) 3%）、每月320 萬(wàn)約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長(zhǎng) 5%）、每月270 萬(wàn) 片約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長(zhǎng) 4%）和 每月180萬(wàn)片約當(dāng)8英寸晶圓（同比增長(zhǎng) 4%）。

從業(yè)務(wù)類型來(lái)看，受英特爾建立代工業(yè)務(wù)和中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)張的推動(dòng)，預(yù)計(jì)2024年全球晶圓代工產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)11%，預(yù)計(jì)到2025年將繼續(xù)同比增加 10%，到 2026 年之時(shí)將達(dá)到每月1270萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量 。

為了滿足 AI 服務(wù)器對(duì)更快處理器日益增長(zhǎng)的需求，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的快速采用正在推動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)域前所未有的容量增長(zhǎng)。AI 的爆炸式增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)更密集 HBM 堆棧的需求不斷增長(zhǎng)，每個(gè)堆棧現(xiàn)在集成了 8 到 12 個(gè)芯片。作為回應(yīng)，領(lǐng)先的 DRAM 制造商正在增加對(duì) HBM/DRAM 的投資。DRAM 容量預(yù)計(jì)在 2024 年和 2025 年都將同比增長(zhǎng) 9%。相比之下，3D NAND Flash市場(chǎng)復(fù)蘇仍然緩慢，預(yù)計(jì) 2024 年整體容量不會(huì)增長(zhǎng)，2025 年預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng) 5%。

隨著邊緣設(shè)備中 AI 應(yīng)用的興起，預(yù)計(jì)主流智能手機(jī)的 DRAM 容量將從 8GB 增加到 12GB，同樣擁有生成式AI加持的筆記本電腦也將至少需要 16GB 的 DRAM。可以說(shuō)，隨著AI 向邊緣設(shè)備的擴(kuò)展，也將刺激對(duì) DRAM 的需求。