新聞資訊
新聞資訊
574 次
手機芯片天價，國產(chǎn)替代迫在眉睫如今，5G商用風頭正勁，手機這艘大船也乘風破浪，銷量節(jié)節(jié)攀升。 芯片作為手機的“核心部件”，其興衰直接影響整個行業(yè)的生死存亡。 據(jù)悉，高通新一代旗艦芯片驍龍888售價高達160美元，是上一代芯片價格的近一倍。 簡直就是“天價”。 這無疑給了國產(chǎn)手機廠商沉重的打擊，也促使國產(chǎn)芯片提速
704 次
半導(dǎo)體是科技界的無名英雄：由純元素制造的零件在幕后工作，為從智能手機到汽車的一切供電和連接。“半導(dǎo)體短缺”是新冠疫情時代的流行語之一，比如“供應(yīng)鏈問題”、“保持身體距離”或“酸面團發(fā)酵劑”，這可能會讓人想起未來幾年的深度封鎖和耳朵后面戴著幻影面具的隱隱作痛。但許多人對半導(dǎo)體到底是什么有著模糊的理解。
128 次
4月8日消息，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）宣布，2025年2月份全球半導(dǎo)體銷售額為549億美元，較2024年2月的469億美元同比增長17.1%，但環(huán)比2025年1月的565億美元下降2.9%。"盡管環(huán)比銷售額略有下降，但全球半導(dǎo)體行業(yè)仍創(chuàng)下2月單月銷售額歷史新高，推動同比強勁增長，" SIA總裁兼首席執(zhí)行官John Neuffer表示，"這
245 次
2024年11月6日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出了一款新的面向智能手表、運動手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設(shè)備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導(dǎo)體的經(jīng)過市場檢驗的
331 次
新聞亮點：·德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的 GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。·德州儀器基于 GaN 的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。·憑借德州儀器品類齊全的 GaN 集成功率半導(dǎo)體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。·德州儀器已成功開展在 12 英寸晶圓上應(yīng)用
314 次
微電子和軟件技術(shù)的快速發(fā)展正在深刻地改變車載娛樂中控和安全系統(tǒng)設(shè)計，重新定義駕駛體驗。這一轉(zhuǎn)型的核心是電子駕駛艙（eCockpit），這是現(xiàn)代化汽車中的一個復(fù)雜系統(tǒng)，在一個統(tǒng)一的界面中集成了娛樂中控、連接和安全監(jiān)測功能。eCockpit控制一切，讓駕駛員了解相關(guān)情況并保持連接，通過實時監(jiān)測和自主響應(yīng)提升汽車
400 次
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公
379 次
2024 年 9 月 19 日，美國拜登政府宣布，將根據(jù)小企業(yè)創(chuàng)新研究（SBIR） 計劃向 9 個州的 17 家小企業(yè)提供近 500 萬美元的資助。SBIR 第一階段獎項將資助研究項目，以探索創(chuàng)新理念或技術(shù)的技術(shù)價值或可行性，以開發(fā)可行的產(chǎn)品或服務(wù)以引入商業(yè)微電子市場。這也是 “CHIPS 研發(fā)辦公室”的第一個資助項目。拜登政府致力于
424 次
9月2日下午，在國際半導(dǎo)體展SEMICON TAIWAN 2024展前記者會上，SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深總監(jiān)曾瑞榆解析全球半導(dǎo)體市場發(fā)展趨勢時預(yù)計，2024年全球半導(dǎo)體營收可望成長20%，人工智能（AI）芯片及存儲芯片是主要成長動能。2025年隨著通訊、工業(yè)及車用等需求健康復(fù)蘇，半導(dǎo)體營收預(yù)計將再同比增長20%。曾瑞榆指出，今年上半年電子設(shè)備銷
540 次
9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有
