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近期，特斯拉宣布將大砍碳化硅用量75%的消息沖上了熱搜。這一消息，也讓業內對于碳化硅究竟能否替代IGBT在新能源汽車中的地位，產生了懷疑。曾被“捧上天”的碳化硅是否真的要“跌落神壇”？碳化硅在新能源汽車領域究竟有沒有替代IGBT的能力？在這場“代際”之爭中，誰會是真正的贏家？碳化硅“動搖”IGBT地位在2018年特斯拉
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中國作為全球最大的新能源汽車市場，車規功率半導體需求強勁，電動化與高壓化是兩大重要推動力。功率半導體的具體應用場景已經從燃油車時代的輔助驅動系統單一場景不斷向牽引逆變器、OBC、高低壓輔助驅動系統、DC/DC模塊、充電樁等多個細分領域拓展。在過去相當長的時間里，全球車規級功率半導體市場主要被英飛凌、安森美、
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作為新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產業已經成為功率器件需求增加最快的領域，并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領域。2022年，新能源汽車的單車功率半導體價值量達到458.7美元，約為傳統燃油車的5倍。顯而易見，在全球芯片細分市場中，功率器件市場對我國芯片產業的重要性。近年來，
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在快速發展的電信世界中，半導體技術的作用發揮巨大的價值。該領域的創新正在推動可靠性和性能的前所未有的提高，實現更快、更高效的通信系統，從而改變人們的生活和工作方式。（芯團網，領先全球的芯片元器件純第三方交易平臺，一分鐘貨比百家，質量有保證，違約高賠償）半導體技術是電信的核心。這些微型設備通常不比一粒
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功率半導體器件，特別是絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)，它一直是新能源、軌道交通、電動汽車、工業應用、家用電器等應用的核心硅基IGBT由于驅動功率低，飽和壓降低，設備具有高電壓等級(高達6500)V)高達3600A)成為各個領域的中流砥柱（1）、高功率密度和高開關頻率是實現電力電子設備小型化和未來
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在器件使用的自然環境中，溫度和濕度是不可分割的兩個因素。不同地區，器件應用于不同的地理位置，所處工作環境的溫度、濕度也各不相同。溫濕度循環試驗可以用來確認產品在溫濕度氣候環境條件下儲存、運輸以及使用適應性。環境試驗的試驗范圍很廣，包括高溫，低溫，溫度沖擊（氣態及液態），浸漬，溫度循環，低壓，高壓，高
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IGBT功率半導體器件是新能源、軌道交通、電動汽車、工業應用和家用電器等應用的核心部件。特別是隨著新能源電動汽車的高速發展，功率半導體器件的市場更是爆發式的增長，區別于消費電子市場，車規級功率半導體器件由于高工作結溫、高功率密度、高開關頻率的特性，和更加惡劣的使用環境，使得器件的可靠性顯得尤為重要。功率
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5 月 22 日消息，北京大學物理學院現代光學研究所"極端光學創新研究團隊 " 的王劍威研究員、胡小永教授、龔旗煌教授團隊與合作者近日提出并實現了一種基于大規模集成光學的完全可編程拓撲光子芯片。研究人員通過在硅芯片上大規模集成可重構的光學微環腔陣列，首次實現了一種任意可編程的光學弗洛凱人
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高數值孔徑 （ High -NA ） EUV 光刻 機 剛剛起步，ASML又開始 致力于開發 超數孔徑Hyper-NA EUV光刻機。 ASML 名 譽首席技術官 Martin van den Brink在安特衛普舉行的Imec技術論壇（ITF）上發表演講時透露了公司的未來規劃。 他表示，在未來十年內，ASML將構建一個集成低數值孔徑、高數值孔
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5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出4F2VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；
