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  • 如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器?
    發布日期:2024-11-07     276
    在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術,有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅動器,而新的GaN驅動器和內置GaN驅動器的控制器還需
  • 為惡劣工業環境中的以太網安裝保駕護航
    發布日期:2024-11-07     280
    如今,“工業以太網”一詞使用非常頻繁,以至于人們很容易混淆,并開始認為它一定與消費和計算設備中使用的以太網有所不同。本博文旨在回顧這種網絡技術的演變,并解釋消費以太網和工業以太網的區別。本文還介紹Nexperia的一系列器件,這些器件可用于保護以太網網絡免受靜電放電(ESD)的破壞性影響,無論它們是部署在日常消費
  • 我的熱插拔控制器電路為何會振蕩?
    發布日期:2024-11-07     309
    使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器,浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器,在啟動和電壓/電流調節期間可能會發生振蕩。數據手冊通常會簡要提到這個問題,并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而,如果不清楚振蕩的根本原因,設計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻,使電路容易受到振蕩的影響。本文將討論
  • 全差分放大器為精密數據采集信號鏈提供高壓低噪聲信號
    發布日期:2024-11-07     282
    摘要全差分放大器(FDA)具有差分輸入和差分輸出,其輸出共模由直流(DC)輸入電壓獨立控制,主要用在數據采集系統中模數轉換的前端,用于將信號調理為合適的電平以供下一級(通常是模數轉換器(ADC))使用。FDA一般采用單芯片設計,電源電壓較小,因此輸出動態范圍有限。本文將介紹具有可調共模輸出的高壓低噪聲FDA的設計方法。
  • 電能質量分析程序:4 個必須知道的技巧
    發布日期:2024-10-29     374
    穩定、高質量的電力供應不僅關乎可用性,還關乎電能質量。然而,找出電能質量問題的根本原因(從諧波失真和電壓波動到雷擊和設備故障的影響)可能是一項復雜的挑戰。這些干擾通常肉眼看不見,但可能導致設備故障、運營停機甚至安全隱患。進行徹底的電能質量調查是分析和緩解這些問題的第一步,從而提高電氣系統的整體性能。本
  • YoloV3在FPGA上的量化、編譯與推理
    發布日期:2024-10-29     1638
    隨著人工智能技術的快速發展,目標檢測作為計算機視覺領域的重要應用,其準確性和實時性要求日益提高。YoloV3(You Only Look Once Version 3)作為一種先進的實時物體檢測算法,憑借其高精度和實時性能,在眾多應用場景中展現出巨大潛力。然而,為了將YoloV3算法部署到資源受限的硬件平臺上,如FPGA(現場可編程門陣列),
  • 推挽升壓電路和SPWM逆變電路系統總體方案
    發布日期:2024-10-29     761
    本設計以ARM作為控制核心,結合推挽升壓電路和SPWM逆變電路,實現了將12VDC輸入電壓轉換為110VAC交流正弦電壓輸出。實驗表明,該逆變器具有電壓紋波小、動態響應高和全數字等特點,能夠滿足實際需要。1.系統總體方案1.1 總體設計框圖如圖1 所示, 逆變器系統由升壓電路、逆變電路、控制電路和反饋電路組成。低壓直流電源DC1
  • 電源模塊紋波噪聲的測試方法
    發布日期:2024-10-29     454
    在應用電源模塊常見的問題中,降低負載端的紋波噪聲是大多數用戶都關心的。那么模塊的紋波噪聲該如何降低?普科科技從紋波噪聲的波形、測試方式、模塊設計及應用的角度出發,闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。紋波噪聲的常見測量工具是采用示波器+探頭的方式紋波和噪聲即:直流電源輸出上疊加的與電源開關頻率同頻的波動
  • PLC與變頻器搭配使用的方法和要點
    發布日期:2024-10-29     444
    PLC與變頻器的搭配使用在工業控制中非常常見,主要用于實現對電機的精確控制和調節。以下是一些PLC與變頻器搭配使用的方法和要點:1.PLC控制變頻器的方式1.1輸出信號控制直接連接:通過PLC的輸出點直接連接到變頻器的啟動停止信號,同時PLC也可輸出模擬量信號來調節變頻器的速度。信號傳輸:確保PLC的com口與變頻器的com口連
  • 如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力
    發布日期:2024-10-29     369
    寬帶隙 (WBG) 半導體器件,例如碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET),以其最小的靜態和動態損耗而聞名。除了這些特性之外,該技術還可以承受高脈沖電流,在固態斷路器等應用中特別有優勢。本文深入探討了 SiC FET 的特性,并與傳統硅解決方案進行了比較分析。半導體開關功率損耗最小化的持續追求由 WBG 器件引領,而 SiC FET 占

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