隨著人工智能技術的快速發展,目標檢測作為計算機視覺領域的重要應用,其準確性和實時性要求日益提高。YoloV3(You Only Look Once Version 3)作為一種先進的實時物體檢測算法,憑借其高精度和實時性能,在眾多應用場景中展現出巨大潛力。然而,為了將YoloV3算法部署到資源受限的硬件平臺上,如FPGA(現場可編程門陣列),
寬帶隙 (WBG) 半導體器件,例如碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET),以其最小的靜態和動態損耗而聞名。除了這些特性之外,該技術還可以承受高脈沖電流,在固態斷路器等應用中特別有優勢。本文深入探討了 SiC FET 的特性,并與傳統硅解決方案進行了比較分析。半導體開關功率損耗最小化的持續追求由 WBG 器件引領,而 SiC FET 占
WBG的高頻切換帶來了與帶寬和速度相關的挑戰,這些挑戰可以通過新的傳感技術來解決。此外,氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件對短路條件的耐受性和電流傳感要求不同。當使用GaN 器件時,具有捕獲超快速短路事件所需帶寬的電流傳感器至關重要,因為 GaN 器件的短路耐受時間比 Si 和 SiC 器件短得多。因此,Si 基電源轉換器中
打開一個普通的 LED 燈泡,你經常會發現一個電解電容器占據了交流線路輸入的位置。雖然照明級 LED 的使用壽命通常超過 10,000 小時,但其底座中的電解電容器可能使用壽命不會那么長。造成這種不良后果的原因可能有很多種。這些電路板上可見的電解電容器取自飛利浦(頂部)和 Feit Electric 生產的 60 W 等效 LED 燈泡。電解電