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  • 這臺EUV究竟有多貴?連臺積電也被嚇到
    發布日期:2024-05-16     434
    臺積電主管5月14日透露,臺積電A16先進制程節點不一定需要艾司摩爾(ASML)最新的先進芯片制造設備高數值孔徑極紫外光曝光機(High-NA EUV),原因是太貴了。彭博資訊揭露,這一部機器要價3.8億美元。臺積電業務開發資深副總經理暨副共同營運長張曉強14日在阿姆斯特丹一場技術研討會上表示:“價格非常高昂。
  • 美國企業研究所報告:俄烏沖突后俄羅斯通過間接渠道獲取芯片,成本飆升
    發布日期:2024-05-16     519
    自2022年2月俄烏沖突爆發以來,美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地相繼對俄羅斯實施了半導體出口管制,希望通過阻斷半導體供應削弱俄羅斯的軍事能力。然而,盡管采取了這些措施,俄羅斯仍通過間接渠道獲得了一些芯片,只是獲取成本大幅增加。美國企業研究所(American Enterprise Institute)最新報告指出,俄羅
  • Inova半導體推出新型混合信號收發器,用于汽車ISELED照明和傳感器網絡
    發布日期:2024-05-16     712
    Inova Semiconductors近期宣布推出用于汽車 ISELED照明和傳感器網絡(ILaS)的混合信號收發器INLT220Q。該集成電路可在數米長的簡單的非屏蔽雙絞線電纜(UTP)上建立2 Mbit/s和低延遲的菊花鏈連接。這器件可通過傳感器和執行器構建集中控制、穩健的汽車 ISELED LED 網絡。車載ILaS 網絡最多可由4079個獨立
  • 歐美制裁下的俄羅斯半導體:成本翻倍 杯水車薪
    發布日期:2024-05-15     639
    俄烏沖突爆發后,美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導體的出口管制,希望通過阻斷半導體供應,以降低俄羅斯的軍事戰力。不過,根據美國企業研究所(American Enterprise Institute)最新公布的一份報告顯示,盡管做出了這些努力,但俄羅斯通過間接渠道依然獲得了一些芯片,只是獲取芯
  • 與 AI 共舞,RISC-V 芯片加速落地生根
    發布日期:2024-05-14     457
    自計算機誕生以來,指令集架構一直是計算機體系結構中的核心概念之一。目前市場上主流的指令集架構兩大巨頭是 x86 和 ARM,前者基本壟斷了 PC、筆記本電腦和服務器領域,后者則在智能手機和移動終端市場占據主導地位。近年來,隨著全球對芯片自主可控需求的增長以及物聯網、邊緣計算等領域的需求不斷擴大,RISC-V在學
  • Vishay推出具有業內先進水平的小型頂側冷卻,PowerPAK?封裝的600 V E系列功率MOSFET
    發布日期:2024-05-13     613
    第四代器件,額定功率和功率密度高于D2PAK 封裝產品,降低導通和開關損耗,從而提升能效美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年5月7日 — 日前,威世科技VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出首款采用新型PowerPAK?8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR08
  • 意法半導體車規直流電機預驅動器簡化EMI優化設計,節能降耗
    發布日期:2024-05-11     604
    意法半導體的L99H92車規柵極驅動器提供電流設置和診斷功能所需的SPI端口,還有電荷泵和安全保護功能,新增兩個用于監測系統運行狀況的電流檢測放大器。L99H92 包含兩個高邊驅動器和兩個低邊驅動器,可以控制一個全橋,驅動一臺雙向直流電機運轉,還可以控制兩個半橋,驅動兩臺單向電機運轉。這款高集成度且易于配置的驅動器
  • 適用于低功耗信號鏈應用的功率優化技術
    發布日期:2024-05-09     524
    本文介紹用于在低功耗信號鏈應用中實現優化能效比的精密低功耗信號鏈解決方案和技術。本文將介紹功耗調節、功率循環和占空比等用于進一步降低系統功耗的技術(不僅限于選擇低功耗產品,這有時并不夠)。還將探討如何使用通道時序控制器、FIFO和電壓監控模塊等片內特性來簡化系統設計,并在主機控制器側和整個系統層面實現節
  • 別再只盯著光刻機了!自動化測試對于芯片制造同樣重要
    發布日期:2024-05-09     550
    行業調研數據顯示,芯片行業的產值和營收一直在不斷提高,同時其地位受到大眾的關注。光刻機在芯片領域當然獨占鰲頭,但一顆芯片的成功不只取決于光刻部分,測試對芯片的質量更有不容忽視的意義。行業調研數據顯示,芯片行業的產值和營收一直在不斷提高,同時其地位受到大眾的關注。光刻機在芯片領域當然獨占鰲頭,但一顆芯
  • 什么是寬禁帶半導體?
    發布日期:2024-05-09     1464
    禁帶寬度和電場強度越高,器件越不容易被擊穿,耐壓可以更高;熱導率和熔點越高,器件越容易散熱,也更容易耐高溫;電子遷移率越高,器件的開關速度也就越快,因此可以做高頻器件。不難看出,SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應用領域的顯著優勢。半導體迄今為止共經歷了三個發展階段:第一代半導體以硅(Si)、鍺(Ge)為代

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