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  • 東京電子豪擲1.5萬億日元目標全球第一半導體設備制造商
    發(fā)布日期：2024-07-03     434 次
    7月1日消息，據(jù)媒體報道，日本東京電子（TEL）近日宣布將在2025至2029財年期間投資1.5萬億日元（約合679.83億元人民幣），并計劃招募一萬名新員工。這一投資額是上個五年周期的1.8倍，目標就是成為全球最大的半導體設備制造商。東京電子目前是世界第四大半導體設備制造商，僅次于荷蘭的阿斯麥（ASML）、美國的應用材料公司和
  • 中國移動發(fā)布安全MCU芯片CM32M435R
    發(fā)布日期：2024-07-03     632 次
    7月1日消息，近日，中國移動旗下的中移芯昇發(fā)布了一款大容量低功耗+PUF+物理防側(cè)信道攻擊的安全MCU芯片“CM32M435R”，采用40納米功耗工藝，基于業(yè)界領先的高性能32位RISC-V內(nèi)核，綜合性能達到國內(nèi)領先水平。它有三個主要特點：一是高安全。雙核設計，安全子系統(tǒng)由安全內(nèi)核獨立控制，具備更高安全等級。同時支持物理防克隆P
  • HBM旺盛需求帶動半導體硅片需求倍增
    發(fā)布日期：2024-07-03     475 次
    7月1日消息，雖然半導體市場需求已經(jīng)有所恢復，不過半導體硅片產(chǎn)業(yè)今年受到客戶因持續(xù)執(zhí)行長合約采購，造成庫存消化速度較慢，而終端需求包括智能手機、電腦等的回升速度較慢，所以上半年仍有庫存的影響。但隨著AI需求的增長，包括AI需要使用的HBM（高帶寬內(nèi)存）以及先進封裝結(jié)構(gòu)改變，都需要增加使用半導體硅片，隨著庫存去
  • 英偉達在法國美國歐盟面臨反壟斷起訴,AMD/英特爾加油了
    發(fā)布日期：2024-07-03     471 次
    7月2日消息，據(jù)國外媒體報道稱，由于在顯卡、GPU市場一家獨大的存在，英偉達已經(jīng)被法國盯上。報道中提到，法國監(jiān)管機構(gòu)將對英偉達提起反壟斷訴訟，這將是全球首家對該公司采取反壟斷行動的執(zhí)法機構(gòu)。早在去年9月底，就有媒體報道稱，法國競爭監(jiān)管機構(gòu)突擊搜查了英偉達在當?shù)氐霓k公室，理由是這家芯片巨頭涉嫌從事反競爭行為
  • 韓國正在強攻化合物功率半導體 全球市占不足2%
    發(fā)布日期：2024-07-03     402 次
    隨著復合功率半導體市場的全球競爭日趨白熱化，復合功率半導體市場已成為新的糧食來源，韓國政府和企業(yè)也紛紛加入，以主導市場。與國際企業(yè)相比，韓國企業(yè)是后來者，其目標是通過與政府共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)來集中精力進行技術開發(fā)。業(yè)界預測，韓國擁有現(xiàn)代/起亞汽車、三星電子、LG電子等全球汽車和家電企業(yè)，因此在功率半導體市
  • 消息稱臺積電海外晶圓廠僅貢獻10%產(chǎn)能 無需擔憂中國臺灣產(chǎn)業(yè)外遷
    發(fā)布日期：2024-07-03     400 次
    臺積電正在美國亞利桑那州鳳凰城取得重大進展，即將在其Fab 21晶圓廠第一階段開始大規(guī)模生產(chǎn)4nm和5nm芯片，并將在2030年前建設更多實施，這將顯著提高其生產(chǎn)能力和全球影響力。然而，據(jù)報道，臺積電在美國、日本和德國建設晶圓廠引發(fā)了中國臺灣對產(chǎn)業(yè)外遷的擔憂。隨著臺積電在德國、日本和美國等海外地區(qū)擴張取得成功，中國
  • 谷歌Tensor G5即將進入流片階段 將由臺積電3nm代工
    發(fā)布日期：2024-07-03     435 次
    7月1日，據(jù)外媒報道，谷歌即將在明年發(fā)布第十代的Pixel系列智能手機，屆時其搭載的Tensor G5處理器將會采用臺積電的3nm制程工藝。最新的消息顯示，Tensor G5處理器研發(fā)順利，即將進入Tape-ou（流片）階段。據(jù)了解，Tensor G5是谷歌首款完全自研手機處理器，而前四代Tensor處理器都是三星Exynos修改，并三星代工生產(chǎn)。而最新
  • 美國芯片業(yè)面臨重大人才缺口 準備大量砸錢補救
    發(fā)布日期：2024-07-03     435 次
    7月2日消息，據(jù)媒體報道，美國芯片產(chǎn)業(yè)正面臨嚴重的人才短缺問題，為此政府迅速啟動一項計劃，旨在培養(yǎng)國內(nèi)芯片勞動力，以避免勞動力短缺對半導體生產(chǎn)造成威脅。這一計劃被稱為勞動力伙伴聯(lián)盟，將動用新成立的國家半導體技術中心（NSTC）50億美元聯(lián)邦資金的一部分。NSTC計劃資助多達10個勞動力發(fā)展項目，每個項目預算在50萬
  • 臺達電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，瞄準GaN
    發(fā)布日期：2024-06-27     485 次
    6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領導廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長期合作關系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關領域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術，強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動車領域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁
  • 中央硝子新技術可使SiC基板成本降低10%
    發(fā)布日期：2024-06-27     602 次
    據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日前，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導體尖端材料“碳化硅（SiC）”基板的新制造技術。中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液來制造碳化硅基板的技術。與使用高溫下升華的碳化硅使單晶生長的傳統(tǒng)技術相比，更容易增大基板尺寸以及提高品質(zhì)，這可使基板的制造成本降低1成以上，不合格率

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